![Forschungserfolg von Toshiba: SiC-MOSFET mit optimierter eingebetteter Schottky-Diode - Leistungshalbleiter - Elektroniknet Forschungserfolg von Toshiba: SiC-MOSFET mit optimierter eingebetteter Schottky-Diode - Leistungshalbleiter - Elektroniknet](https://cdn4.weka-fachmedien.de/thumbs/media_uploads/images/1670948718-240-worlg99r0.jpg.1280x0.webp)
Forschungserfolg von Toshiba: SiC-MOSFET mit optimierter eingebetteter Schottky-Diode - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
![Radiation Resistance of Silicon Carbide Schottky Diode Detectors in D-T Fusion Neutron Detection | Scientific Reports Radiation Resistance of Silicon Carbide Schottky Diode Detectors in D-T Fusion Neutron Detection | Scientific Reports](https://media.springernature.com/full/springer-static/image/art%3A10.1038%2Fs41598-017-13715-3/MediaObjects/41598_2017_13715_Fig1_HTML.jpg)
Radiation Resistance of Silicon Carbide Schottky Diode Detectors in D-T Fusion Neutron Detection | Scientific Reports
![SIC SCHOTTKY DIODE, 650 V, 38 A, TO-247, Siliziumkarbid-Schottky-Dioden, 1 Stück | GE2X8MPS06D : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft SIC SCHOTTKY DIODE, 650 V, 38 A, TO-247, Siliziumkarbid-Schottky-Dioden, 1 Stück | GE2X8MPS06D : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft](https://m.media-amazon.com/images/I/41UocsDmNML._AC_UF1000,1000_QL80_.jpg)
SIC SCHOTTKY DIODE, 650 V, 38 A, TO-247, Siliziumkarbid-Schottky-Dioden, 1 Stück | GE2X8MPS06D : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft
![SIC-Diode, AEC-Q101, einzeln, 8 A, 650 V, Siliziumkarbid-Schottky-Dioden, 1 Stück | STPSC8065DY : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft SIC-Diode, AEC-Q101, einzeln, 8 A, 650 V, Siliziumkarbid-Schottky-Dioden, 1 Stück | STPSC8065DY : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft](https://m.media-amazon.com/images/I/319+hndrI4L._AC_UF894,1000_QL80_.jpg)